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簡(jiǎn)要描述:銅銦硫(硒),銅銦鎵硫(硒),銅鋅錫硫(硒)多元半導(dǎo)化合物對(duì)可見(jiàn)光的吸收系數(shù)和光電轉(zhuǎn)換效率高,抗輻射能力強(qiáng),吸收層材料禁帶寬度可調(diào),性能穩(wěn)定,無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn),是制作薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)良材料。
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銅銦硫(硒),銅銦鎵硫(硒),銅鋅錫硫(硒)多元半導(dǎo)化合物對(duì)可見(jiàn)光的吸收系數(shù)和光電轉(zhuǎn)換效率高,抗輻射能力強(qiáng),吸收層材料禁帶寬度可調(diào),性能穩(wěn)定,無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn),是制作薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)良材料。傳統(tǒng)方法-真空濺射沉積再進(jìn)行硫化或硒化反應(yīng)形成薄膜太陽(yáng)能電池, 在制備過(guò)程中很難控制各個(gè)元素的蒸發(fā)速率和保持襯底溫度的穩(wěn)定,而且由于采用了真空的工藝環(huán)節(jié),導(dǎo)致工藝復(fù)雜,總成本很高。通過(guò)對(duì)量子點(diǎn)燒結(jié)形成半導(dǎo)體薄是一種新興的薄膜太陽(yáng)能電池的制備技術(shù),可以極大簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝,降低成本制,因此具有非常廣泛的應(yīng)用前景。
我們可根據(jù)客戶需求,提供不同質(zhì)量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點(diǎn)。
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