13761090949
當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 碳材料 > 石墨烯薄膜 > 1*1'' 單層二氧化硅基底石墨烯
簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：> 95%制備方法：1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
產(chǎn)品型號：1*1'' 單層 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2024-06-03訪 問 量：1103詳細(xì)介紹
二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
產(chǎn)品咨詢
聯(lián)系我們
上海巨納科技有限公司 公司地址：上海市虹口區(qū)寶山路778號海倫國際大廈5樓 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)掃一掃 更多精彩
微信二維碼
網(wǎng)站二維碼
歡迎來到