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簡(jiǎn)要描述：硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
產(chǎn)品型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-06-03訪 問(wèn) 量：1115詳細(xì)介紹
硒化銦晶體（99.995%） InSe
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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硒化銦晶體（99.995%） InSe
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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