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ACSMaterial工業(yè)級(jí)石墨烯（10g）

工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3 BET比表面積（平方米/克）：~ 600 電阻率（Ω?cm）：0.30

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更新日期：2024-06-03

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ACSMaterial羧基化石墨烯

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 純度：99%

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ACSMaterial單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口）

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體積密度：為0.26g/cm3

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ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進(jìn)口）（S Method）

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克單層比：＞90% 氧含量:~35 wt%

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ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進(jìn)口）

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克

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2D Semiconductor氧化石墨烯（美國(guó)）

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.

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