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  • 1*1cm單層硅基底石墨烯（1*1cm單層）

    硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問次數(shù)：1104
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 1*1'' 單層硅基底石墨烯（1*1'' 單層）

    硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問次數(shù)：1041
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 1*1cm單層二氧化硅基底石墨烯

    二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問次數(shù)：1173
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 1*1'' 單層二氧化硅基底石墨烯

    二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問次數(shù)：1103
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 5*5cm銅基石墨烯薄膜

    形狀：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù)：單層 晶粒：單晶/多晶，50~300um

    訪問次數(shù)：1097
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 10*10cm銅基石墨烯薄膜

    形狀：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù)：單層 晶粒：單晶/多晶，50~300um

    訪問次數(shù)：936
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
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